IPA60R280E6XKSA1 Tranzystor Mosfet N-Channel; unipolarny; 600V; 13,8A; 32W; TO220FP

13,56 

Kluczowe parametry techniczne

  • Typ: N-MOSFET

  • Technologia: CoolMOS E6

  • Maksymalne napięcie dren-źródło (Vdss): 600 V

  • Maksymalny prąd drenu (Id): 13,8 A

  • Rezystancja w stanie włączenia (Rds(on)): ok. 0,28 Ω

  • Moc rozpraszana (Pd): 32 W

  • Obudowa: TO-220FP (Full Pack)

  • Napięcie bramka-źródło (Vgs): ±20–30 V (różne źródła podają ±20 V)

  • Temperatura pracy: od -55°C do +150°C

Dostępność: Na stanie (może być zamówiony)

Porównaj

IPA60R280E6XKSA1 Tranzystor – MOSFET wysokiego napięcia

Tranzystor IPA60R280E6XKSA1 to wydajny N-MOSFET produkowany przez Infineon Technologies, należący do serii CoolMOS E6. Jest zaprojektowany do pracy w aplikacjach wysokiego napięcia, takich jak zasilacze impulsowe (SMPS), przetwornice i inne układy wymagające stabilnego przełączania. Dzięki obudowie TO-220FP, zapewnia dobre odprowadzanie ciepła, co zwiększa jego niezawodność w warunkach długotrwałej pracy.

Zastosowanie tranzystora IPA60R280E6XKSA1 w zasilaczach i elektronice

Dzięki napięciu dren-źródło na poziomie 600 V i maksymalnemu prądowi drenu 13,8 A, ten MOSFET świetnie nadaje się do zasilania urządzeń o wysokiej mocy, takich jak telewizory, zasilacze klasy PFC (Power Factor Correction) czy konwertery DC-DC. Maksymalna moc rozpraszania wynosi 32 W, co pozwala na efektywną pracę przy umiarkowanym chłodzeniu.

Objawy uszkodzenia MOSFET-a IPA60R280E6XKSA1

W aplikacjach serwisowych uszkodzenie tego tranzystora może objawiać się w różny sposób: zasilacz może nie włączać się, może dochodzić do pulsującego startu, migania diody pracy lub braku napięć wtórnych. W wielu przypadkach wymiana tego elementu na nowy model Infineon przywraca pełną funkcjonalność systemu i eliminuje problemy z niestabilnym zasilaniem.

Zalety oryginalnego MOSFET-a N-Channel marki Infineon

Dodatkową zaletą IPA60R280E6XKSA1 jest niska rezystancja przewodzenia w stanie włączenia (Rds(on)), która wynosi około 0,28 Ω – według dokumentacji TME. Taka charakterystyka pozwala na mniejsze straty mocy oraz mniejsze nagrzewanie MOSFET-a, co jest kluczowe w wydajnych konstrukcjach zasilaczy.

Parametry zabezpieczające tego tranzystora są również bardzo solidne: układ obsługuje przeciążenia, ma zabezpieczenia termiczne oraz możliwość pracy przy wysokiej temperaturze otoczenia – zakres temperatury pracy wynosi od -55°C do +150°C, co czyni go odpornym na wymagające warunki. Dodatkowo, napięcie bramka-źródło (Vgs) zostało określone na ±20 V, co zapewnia bezpieczne sterowanie.

Podsumowując, IPA60R280E6XKSA1

to bardzo wszechstronny i niezawodny MOSFET, idealny do napraw i konstrukcji zasilaczy, gdzie wymagane jest wysokie napięcie i duża wytrzymałość. Jego parametry sprawiają, że stanowi świetny wybór dla serwisów RTV, inżynierów elektroniki oraz hobbystów zajmujących się projektowaniem przetwornic mocy.

Waga 0,2 kg
Wymiary 15 × 10 × 2 cm
Koszyk
Przewijanie do góry

Select at least 2 products
to compare